STRH100N6中文规格_产品特点_原厂出售
IC先生 网络 38 2023-12-18 08:25:51
概述
该n沟道功率MOSFET采用意法半导体独特的strifet工艺开发。
它是专门为卫星应用而设计的,能够维持高TID和对重离子效应的免疫。
STRH100N6符号图
STRH100N6功能参数
- 快速切换
- 100%雪崩测试
- 密封包装
- 50克拉TID
- SEE辐射硬化
STRH100N6引脚图
STRH100N6 3D图
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文章标签:
芯片
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