| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | |
| OperatingCharacteristics | 班 :AB 匹配 :input impedance matching Test signal :WCDMA 模具技术 :GaN P1dB（典型）（W） :126 P3dB（典型）（W） :162 supply Voltage (Typ) (V) :48 P1dB（典型）（dBm） :51 P3dB（典型值）（dBm） :52.1 效率（典型值）（%） :36.7 频率（分钟）（兆赫） :3400 频率（最大值）（MHz） :3600 权力 Gain (Typ) (dB) @ f (MHz) :15.7 @ 3500 Thermal Resistance (spec) (℃/W) :1.9 输出 权力 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test signal :32.0 @ AVG |
A2G35S160-01SR3数据手册
