| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | |
| OperatingCharacteristics | 班 :AB 匹配 :input impedance matching Test signal :WCDMA 模具技术 :GaN P1dB（典型）（W） :180 P3dB（典型）（W） :225 supply Voltage (Typ) (V) :48 P1dB（典型）（dBm） :52.6 P3dB（典型值）（dBm） :53.5 效率（典型值）（%） :35.3 频率（分钟）（兆赫） :3400 频率（最大值）（MHz） :3600 权力 Gain (Typ) (dB) @ f (MHz) :16.1 @ 3500 Thermal Resistance (spec) (℃/W) :1.3 输出 权力 (Typ) (W) @ Intermodulation Level at Test signal :40.0 @ AVG |
A2G35S200-01SR3数据手册
