名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
包装 | TOLG (PG-HSOG-8) |
技术 | OptiMOS™-T2 |
极性 | N |
V DS最大值 | 40.0V |
(@25°C)最大 | 180.0A |
V GS (th)分钟 | 2.0V |
V GS (th)最大值 | 4.0V |
Q G(typ @10V)最大 | 103.0nC |
R DS (on)(@10V)最大 | 1.5mΩ |
IAUS180N04S4N015数据手册
名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
包装 | TOLG (PG-HSOG-8) |
技术 | OptiMOS™-T2 |
极性 | N |
V DS最大值 | 40.0V |
(@25°C)最大 | 180.0A |
V GS (th)分钟 | 2.0V |
V GS (th)最大值 | 4.0V |
Q G(typ @10V)最大 | 103.0nC |
R DS (on)(@10V)最大 | 1.5mΩ |