首页 > 晶体管> IAUS300N04S4N007
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
包装 TOLG (PG-HSOG-8)
技术 OptiMOS™-T2
极性 N
V DS最大值 40.0V
(@25°C)最大 300.0A
V GS (th)分钟 2.0V
V GS (th)最大值 4.0V
Q G(typ @10V)最大 263.0nC
R DS (on)(@10V)最大 0.74mΩ
IAUS300N04S4N007数据手册
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