名称 | 参数 |
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产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
Q G | 63.0 |
Q gd | 15.0 |
C oss | 105.0 |
包装 | TO-263-7 |
极性 | N |
资格 | Industrial |
销数 | 7.0 |
T j最大值 | 175.0°C |
V DS最大值 | 1200.0V |
(@25°C)最大 | 56.0A |
R thJA最大值 | 62.0K/W |
R thJC最大值 | 0.5K/W |
越来越多的 | SMD |
C工业标准规格 | 2290.0 |
rds (on)(@ Tj = 25℃) | 30.0 |
P tot(@ T A=25°C)最大 | 300.0W |
最大最小工作温度 | -55.0°C |
IMBG120R030M1H数据手册