| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| Q G | 5.9 |
| Q gd | 1.2 |
| C oss | 9.0 |
| 包装 | TO-263-7 |
| 极性 | N |
| 资格 | Industrial |
| 销数 | 7.0 |
| T j最大值 | 175.0°C |
| V DS最大值 | 1200.0V |
| (@25°C)最大 | 4.7A |
| R thJA最大值 | 62.0K/W |
| R thJC最大值 | 2.3K/W |
| 越来越多的 | SMD |
| C工业标准规格 | 196.0 |
| rds (on)(@ Tj = 25℃) | 350.0 |
| P tot(@ T A=25°C)最大 | 65.0W |
| 最大最小工作温度 | -55.0°C |
IMBG120R350M1H数据手册
