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半场晶体管(MOSFET) IPB057N06N
品种: 晶体管
种类:半场晶体管(MOSFET)
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名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
R th 1.8
C oss 490.0
包装 D2PAK (TO-263)
极性 N
V DS最大值 60.0V
(@25°C)最大 45.0A
Q G (typ @10V) 27.0
I Dpuls最大值 180.0A
P合计马克斯 83.0W
C工业标准规格 2000.0
预算价格€/ 1 k 0.5
R DS (on)(@10V)最大 5.7mΩ
最大最小工作温度 -55.0°C
V GS(th)最大值最小值 2.1V2.8
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