| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| 包装 | D2PAK (PG-TO263-3) |
| 技术 | OptiMOS™-T |
| 极性 | N |
| V DS最大值 | 120.0V |
| (@25°C)最大 | 100.0A |
| R thJC最大值 | 0.5K/W |
| V GS (th)分钟 | 2.0V |
| I Dpuls最大值 | 400.0A |
| P合计马克斯 | 300.0W |
| V GS (th)最大值 | 4.0V |
| Q G(typ @10V)最大 | 139.0nC |
| 预算价格€/ 1 k | 1.61 |
| R DS (on)(@10V)最大 | 4.8mΩ |
IPB100N12S3-05数据手册
