首页 > 晶体管> IPB107N20NA
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
R th 0.5
C oss 401.0
包装 D2PAK (TO-263)
极性 N
V DS最大值 200.0V
(@25°C)最大 88.0A
Q G (typ @10V) 65.0
I Dpuls最大值 352.0A
P合计马克斯 300.0W
C工业标准规格 5340.0
预算价格€/ 1 k 3.55
R DS (on)(@10V)最大 10.7mΩ
最大最小工作温度 -55.0°C
V GS(th)最大值最小值 2.0V3.0
IPB107N20NA数据手册
0 购物车
0 消息