首页 > 晶体管> IPB120P04P4L-03
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
包装 D2PAK (PG-TO263-3)
技术 OptiMOS™-P2
极性 P
V DS最大值 -40.0V
(@25°C)最大 -120.0A
R thJC最大值 1.1K/W
V GS (th)分钟 -1.2V
I Dpuls最大值 -480.0A
P合计马克斯 136.0W
V GS (th)最大值 -2.2V
Q G(typ @10V)最大 180.0nC
预算价格€/ 1 k 1.09
R DS (on)(@10V)最大 3.1mΩ
IPB120P04P4L-03数据手册
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