首页 > 晶体管> IPB140N08S4-04
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
包装 D2PAK (PG-TO263-7)
技术 OptiMOS™-T2
极性 N
V DS最大值 80.0V
(@25°C)最大 140.0A
R thJC最大值 0.9K/W
V GS (th)分钟 2.0V
I Dpuls最大值 560.0A
P合计马克斯 161.0W
V GS (th)最大值 4.0V
Q G(typ @10V)最大 60.0nC
预算价格€/ 1 k 1.12
R DS (on)(@10V)最大 4.2mΩ
IPB140N08S4-04数据手册
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