| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| 包装 | D2PAK (PG-TO263-7) |
| 技术 | OptiMOS™-T |
| 极性 | N |
| V DS最大值 | 40.0V |
| (@25°C)最大 | 160.0A |
| R thJC最大值 | 0.7K/W |
| V GS (th)分钟 | 2.1V |
| I Dpuls最大值 | 640.0A |
| P合计马克斯 | 214.0W |
| V GS (th)最大值 | 4.0V |
| Q G(typ @10V)最大 | 110.0nC |
| 预算价格€/ 1 k | 1.25 |
| R DS (on)(@10V)最大 | 2.1mΩ |
IPB160N04S3-H2数据手册
