半场晶体管(MOSFET)
IPB19DP10NM
品种:
晶体管
种类:半场晶体管(MOSFET)
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名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
Q G | -36.0 |
包装 | D2PAK (TO-263) |
极性 | P |
销数 | 3.0 |
V DS最大值 | -100.0V |
(@25°C)最大 | -13.8A |
I D 最大值 | -13.8A |
Q G (typ @10V) | -36.0 |
越来越多的 | SMT |
I Dpuls最大值 | -55.0A |
P合计马克斯 | 83.0W |
R DS(开)最大值 | 185.0mΩ |
R DS (on)(@10V)最大 | 185.0mΩ |
最大最小工作温度 | -55.0°C |
V GS(th)最大值最小值 | -2.1V |
IPB19DP10NM数据手册