名称 | 参数 |
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产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
R th | 1.1 |
C oss | 112.0 |
包装 | D2PAK (TO-263) |
极性 | N |
V DS最大值 | 250.0V |
(@25°C)最大 | 25.0A |
Q G (typ @10V) | 22.0 |
I Dpuls最大值 | 100.0A |
P合计马克斯 | 136.0W |
C工业标准规格 | 1770.0 |
预算价格€/ 1 k | 1.04 |
R DS (on)(@10V)最大 | 60.0mΩ |
最大最小工作温度 | -55.0°C |
V GS(th)最大值最小值 | 2.0V3.0 |
IPB600N25N3 G数据手册