半场晶体管(MOSFET)
IPB60R060C7
品种:
晶体管
种类:半场晶体管(MOSFET)
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名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
Q G | 68.0 |
Q gd | 23.0 |
R th | 0.772 |
包装 | D2PAK (TO-263) |
极性 | N |
销数 | 3.0 |
特殊特征 | highest performance |
V DS最大值 | 600.0V |
(@25°C)最大 | 35.0A |
I D 最大值 | 35.0A |
Q G (typ @10V) | 68.0 |
R thJA最大值 | 62.0K/W |
R thJC最大值 | 0.772K/W |
越来越多的 | SMT |
I Dpuls最大值 | 135.0A |
P合计马克斯 | 162.0W |
R DS(开)最大值 | 60.0mΩ |
预算价格€/ 1 k | 3.65 |
R DS (on)(@10V)最大 | 60.0mΩ |
最大最小工作温度 | -55.0°C |
V GS(th)最大值最小值 | 3.0V |
IPB60R060C7数据手册