半场晶体管(MOSFET)
IPB60R120P7
品种:
晶体管
种类:半场晶体管(MOSFET)
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名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
Q G | 36.0 |
Q gd | 11.0 |
R th | 1.31 |
C oss | 27.0 |
包装 | D2PAK (TO-263) |
极性 | N |
销数 | 3.0 |
特殊特征 | price/performance |
V DS最大值 | 600.0V |
(@25°C)最大 | 26.0A |
I D 最大值 | 26.0A |
Q G (typ @10V) | 36.0 |
R thJA最大值 | 62.0K/W |
R thJC最大值 | 1.31K/W |
越来越多的 | SMT |
I Dpuls最大值 | 78.0A |
P合计马克斯 | 95.0W |
R DS(开)最大值 | 120.0mΩ |
C工业标准规格 | 1544.0 |
预算价格€/ 1 k | 1.43 |
R DS (on)(@10V)最大 | 120.0mΩ |
最大最小工作温度 | -55.0°C |
V GS(th)最大值最小值 | 3.0V |
IPB60R120P7数据手册