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半场晶体管(MOSFET) IPB60R125CFD7
品种: 晶体管
种类:半场晶体管(MOSFET)
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名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
Q G 36.0
包装 D2PAK (TO-263)
极性 N
销数 3.0
V DS最大值 600.0V
(@25°C)最大 18.0A
I D 最大值 18.0A
Q G (typ @10V) 36.0
越来越多的 SMT
I Dpuls最大值 66.0A
P合计马克斯 92.0W
R DS(开)最大值 125.0mΩ
R DS (on)(@10V)最大 125.0mΩ
最大最小工作温度 -55.0°C
V GS(th)最大值最小值 3.5V4.0
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