名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
Q G | 53.0 |
R th | 1.2 |
包装 | D2PAK (TO-263) |
极性 | N |
V DS最大值 | 600.0V |
(@25°C)最大 | 25.0A |
I D 最大值 | 25.0A |
Q G (typ @10V) | 53.0 |
R thJC最大值 | 0.6K/W |
越来越多的 | SMT |
I Dpuls最大值 | 82.0A |
P合计马克斯 | 208.0W |
R DS(开)最大值 | 125.0mΩ |
预算价格€/ 1 k | 2.68 |
R DS (on)(@10V)最大 | 125.0mΩ |
V GS(th)最大值最小值 | 2.5V |
IPB60R125CP数据手册