半场晶体管(MOSFET)
IPB60R180C7
品种：
晶体管
种类：半场晶体管(MOSFET)
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| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| Q G | 24.0 |
| Q gd | 8.0 |
| R th | 1.832 |
| 包装 | D2PAK (TO-263) |
| 极性 | N |
| 销数 | 3.0 |
| 特殊特征 | highest performance |
| V DS最大值 | 600.0V |
| (@25°C)最大 | 13.0A |
| I D 最大值 | 13.0A |
| Q G (typ @10V) | 24.0 |
| R thJA最大值 | 62.0K/W |
| R thJC最大值 | 1.832K/W |
| 越来越多的 | SMT |
| I Dpuls最大值 | 45.0A |
| P合计马克斯 | 68.0W |
| R DS(开)最大值 | 180.0mΩ |
| 预算价格€/ 1 k | 1.16 |
| R DS (on)(@10V)最大 | 180.0mΩ |
| 最大最小工作温度 | -55.0°C |
| V GS(th)最大值最小值 | 3.0V |
IPB60R180C7数据手册
