| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| Q G | 58.0 |
| R th | 0.83 |
| 包装 | D2PAK (TO-263) |
| 极性 | N |
| V DS最大值 | 600.0V |
| (@25°C)最大 | 20.2A |
| I D 最大值 | 20.2A |
| Q G (typ @10V) | 58.0 |
| R thJA最大值 | 62.0K/W |
| R thJC最大值 | 0.83K/W |
| 越来越多的 | SMT |
| I Dpuls最大值 | 59.0A |
| P合计马克斯 | 151.0W |
| R DS(开)最大值 | 190.0mΩ |
| 预算价格€/ 1 k | 1.29 |
| R DS (on)(@10V)最大 | 190.0mΩ |
| 操作温度最小值 | -55.0°C |
| V GS(th)最大值最小值 | 2.5V |
IPB60R190C6数据手册
