名称 | 参数 |
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产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
Q G | 20.5 |
R th | 2.0 |
包装 | D2PAK (TO-263) |
极性 | N |
V DS最大值 | 600.0V |
(@25°C)最大 | 7.3A |
I D 最大值 | 7.3A |
Q G (typ @10V) | 20.5 |
R thJA最大值 | 62.0K/W |
R thJC最大值 | 2.0K/W |
越来越多的 | SMT |
I Dpuls最大值 | 19.0A |
P合计马克斯 | 63.0W |
R DS(开)最大值 | 600.0mΩ |
R DS (on)(@10V)最大 | 600.0mΩ |
操作温度最小值 | -55.0°C |
V GS(th)最大值最小值 | 2.5V |
IPB60R600C6数据手册