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半场晶体管(MOSFET) IPB65R095C7
品种: 晶体管
种类:半场晶体管(MOSFET)
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名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
Q G 45.0
R th 0.98
包装 D2PAK (TO-263)
极性 N
销数 3.0
特殊特征 highest performance
V DS最大值 650.0V
(@25°C)最大 24.0A
I D 最大值 24.0A
Q G (typ @10V) 45.0
R thJA最大值 62.0K/W
R thJC最大值 0.98K/W
越来越多的 SMT
I Dpuls最大值 100.0A
P合计马克斯 128.0W
R DS(开)最大值 95.0mΩ
预算价格€/ 1 k 2.48
R DS (on)(@10V)最大 95.0mΩ
操作温度最小值 -55.0°C
V GS(th)最大值最小值 3.0V
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