名称 | 参数 |
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产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
Q G | 20.0 |
R th | 1.99 |
包装 | D2PAK (TO-263) |
极性 | N |
销数 | 3.0 |
特殊特征 | highest performance |
V DS最大值 | 650.0V |
(@25°C)最大 | 11.0A |
I D 最大值 | 11.0A |
Q G (typ @10V) | 20.0 |
R thJA最大值 | 62.0K/W |
R thJC最大值 | 1.99K/W |
越来越多的 | SMT |
I Dpuls最大值 | 41.0A |
P合计马克斯 | 63.0W |
R DS(开)最大值 | 225.0mΩ |
预算价格€/ 1 k | 1.04 |
R DS (on)(@10V)最大 | 225.0mΩ |
操作温度最小值 | -55.0°C |
V GS(th)最大值最小值 | 3.0V |
IPB65R225C7数据手册