| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| R th | 1.2 |
| 包装 | PG-TO263-3 |
| 技术 | CoolMOS™ CFDA |
| 极性 | N |
| 特殊特征 | automotive |
| V DS最大值 | 650.0V |
| (@25°C)最大 | 11.4A |
| R thJA最大值 | 62.0K/W |
| R thJC最大值 | 1.2K/W |
| V GS (th)分钟 | 3.5V |
| I Dpuls最大值 | 34.4A |
| P合计马克斯 | 104.2W |
| V GS (th)最大值 | 4.5V |
| Q G(typ @10V)最大 | 41.0nC |
| 预算价格€/ 1 k | 1.15 |
| R DS (on)(@10V)最大 | 310.0mΩ |
IPB65R310CFDA数据手册
