名称 | 参数 |
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产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
Q G | 39.0 |
R th | 1.5 |
包装 | D2PAK (TO-263) |
极性 | N |
V DS最大值 | 650.0V |
(@25°C)最大 | 10.6A |
I D 最大值 | 10.6A |
Q G (typ @10V) | 39.0 |
R thJA最大值 | 62.0K/W |
R thJC最大值 | 1.5K/W |
越来越多的 | SMT |
I Dpuls最大值 | 29.0A |
P合计马克斯 | 83.0W |
R DS(开)最大值 | 380.0mΩ |
R DS (on)(@10V)最大 | 380.0mΩ |
操作温度最小值 | -55.0°C |
V GS(th)最大值最小值 | 2.5V |
IPB65R380C6数据手册