| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| Q G | 23.0 |
| R th | 2.0 |
| 包装 | D2PAK (TO-263) |
| 极性 | N |
| V DS最大值 | 650.0V |
| (@25°C)最大 | 7.3A |
| I D 最大值 | 7.3A |
| Q G (typ @10V) | 23.0 |
| R thJA最大值 | 62.0K/W |
| R thJC最大值 | 2.0K/W |
| 越来越多的 | SMT |
| I Dpuls最大值 | 18.0A |
| P合计马克斯 | 63.0W |
| R DS(开)最大值 | 600.0mΩ |
| R DS (on)(@10V)最大 | 600.0mΩ |
| 操作温度最小值 | -55.0°C |
| V GS(th)最大值最小值 | 2.5V |
IPB65R600C6数据手册
