名称 | 参数 |
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产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
包装 | single SS08 (PG-TDSON-8) |
技术 | OptiMOS™-5 |
极性 | N |
V DS最大值 | 40.0V |
(@25°C)最大 | 100.0A |
R thJC最大值 | 2.0K/W |
V GS (th)分钟 | 2.2V |
I Dpuls最大值 | 400.0A |
P合计马克斯 | 75.0W |
V GS (th)最大值 | 3.4V |
Q G(typ @10V)最大 | 34.0nC |
预算价格€/ 1 k | 0.36 |
R DS (on)(@10V)最大 | 2.8mΩ |
IPC100N04S5-2R8数据手册