首页 > 晶体管> IPC100N04S5-2R8
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
包装 single SS08 (PG-TDSON-8)
技术 OptiMOS™-5
极性 N
V DS最大值 40.0V
(@25°C)最大 100.0A
R thJC最大值 2.0K/W
V GS (th)分钟 2.2V
I Dpuls最大值 400.0A
P合计马克斯 75.0W
V GS (th)最大值 3.4V
Q G(typ @10V)最大 34.0nC
预算价格€/ 1 k 0.36
R DS (on)(@10V)最大 2.8mΩ
IPC100N04S5-2R8数据手册
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