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半场晶体管(MOSFET) IPC171N04N
品种： 晶体管
种类：半场晶体管(MOSFET)
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名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
V DS 40 V
厚度 205
技术 OptiMOS™ 3
模式 Enhancement
R DS(上) 1.1
输出驱动 1
模具尺寸(X) 2.95 mm
模具尺寸(Y) 5.9 mm
EAS/击穿能量 898.0
V断续器最大值 40.0V
模具尺寸(面积) 17.4 mm²
V GS(th)最大值最小值 2.1V
IPC171N04N数据手册
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