名称 | 参数 |
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产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
R th | 1.0 |
C oss | 3570.0 |
包装 | DPAK (TO-252) |
V DS最大值 | -30.0V |
(@25°C)最大 | -70.0A |
Q G (typ @10V) | 131.0 |
I Dpuls最大值 | -280.0A |
P合计马克斯 | 150.0W |
C工业标准规格 | 9290.0 |
预算价格€/ 1 k | 0.65 |
R DS (on)(@10V)最大 | 4.2mΩ |
V GS(th)最大值最小值 | -2.0V |
IPD042P03L3 G数据手册