首页 > 晶体管> IPD042P03L3 G
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
R th 1.0
C oss 3570.0
包装 DPAK (TO-252)
V DS最大值 -30.0V
(@25°C)最大 -70.0A
Q G (typ @10V) 131.0
I Dpuls最大值 -280.0A
P合计马克斯 150.0W
C工业标准规格 9290.0
预算价格€/ 1 k 0.65
R DS (on)(@10V)最大 4.2mΩ
V GS(th)最大值最小值 -2.0V
IPD042P03L3 G数据手册
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