| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| Q gd | 9.0 |
| R th | 0.7 |
| 包装 | DPAK (TO-252) |
| 极性 | N |
| 销数 | 3.0 |
| V DS最大值 | 80.0V |
| (@25°C)最大 | 90.0A |
| Q G (typ @10V) | 42.0 |
| R thJA最大值 | 75.0K/W |
| R thJC最大值 | 1.2K/W |
| 越来越多的 | SMD |
| I Dpuls最大值 | 360.0A |
| P合计马克斯 | 125.0W |
| 预算价格€/ 1 k | 0.76 |
| R DS (on)(@10V)最大 | 4.6mΩ |
| 最大最小工作温度 | -55.0°C |
| V GS(th)最大值最小值 | 2.2V3.0 |
IPD046N08N5数据手册
