首页 > 晶体管> IPD060N03L G
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
R th 2.7
包装 DPAK (TO-252)
极性 N
V DS最大值 30.0V
(@25°C)最大 50.0A
Q G (typ @10V) 22.0
Q G (typ @4.5V) 10.8
I Dpuls最大值 350.0A
P合计马克斯 56.0W
预算价格€/ 1 k 0.25
R DS (on)(@10V)最大 6.0mΩ
R DS (on)(@4.5V)最大 9.0mΩ
最大最小工作温度 -55.0°C
R DS (on)(@4.5V LL)最大 9.0mΩ
V GS(th)最大值最小值 1.0V
IPD060N03L G数据手册
0 购物车
0 消息