名称 | 参数 |
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产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
R th | 2.7 |
包装 | DPAK (TO-252) |
极性 | N |
V DS最大值 | 30.0V |
(@25°C)最大 | 50.0A |
Q G (typ @10V) | 22.0 |
Q G (typ @4.5V) | 10.8 |
I Dpuls最大值 | 350.0A |
P合计马克斯 | 56.0W |
预算价格€/ 1 k | 0.25 |
R DS (on)(@10V)最大 | 6.0mΩ |
R DS (on)(@4.5V)最大 | 9.0mΩ |
最大最小工作温度 | -55.0°C |
R DS (on)(@4.5V LL)最大 | 9.0mΩ |
V GS(th)最大值最小值 | 1.0V |
IPD060N03L G数据手册