名称 | 参数 |
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产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
包装 | SO-8 |
极性 | N+N |
Q gd (typ) | 3.5 |
T j最大值 | 150.0°C |
V DS最大值 | 600.0V |
V GS最大值 | 20.0V |
(@25°C)最大 | 3.0A |
Q G (typ @10V) | 12.0 |
R thJA最大值 | 62.5K/W |
水分敏感水平 | 1 |
R DS (on)(@10V)最大 | 130.0mΩ |
R DS (on)(@4.5V)最大 | 200.0mΩ |
P tot(@ T A=25°C)最大 | 3.5W |
V GS(th)最大值最小值 | 1.0V |
IRF7103PBF-1数据手册