名称 | 参数 |
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产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
Q G | 36.0 |
Q gd | 13.0 |
包装 | DirectFET MN |
极性 | N |
T j最大值 | 150.0°C |
Micro-stencil | IRF66MN-25 |
V DS最大值 | 100.0V |
V GS最大值 | 20.0V |
I D 最大值 | 59.0A |
R thJC最大值 | 1.2K/W |
越来越多的 | SMD |
P合计马克斯 | 104.0W |
R DS(开)最大值 | 6.5mΩ |
R DS (on)(@10V)最大 | 6.5mΩ |
I D (@ T C=25°C)最大 | 93.0A |
I D (@ T C=100°C)最大 | 59.0A |
P tot(@ T A=25°C)最大 | 2.1W |
IRF7171M数据手册