| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| 包装 | SO-8 |
| 极性 | N+P |
| Q gd (typ) | 6.4 |
| T j最大值 | 150.0°C |
| V DS最大值 | 30.0V |
| V GS最大值 | 20.0V |
| (@25°C)最大 | -5.3A |
| Q G (typ @10V) | 23.0 |
| R thJA最大值 | 50.0K/W |
| V GS (th)分钟 | 1.0V |
| 水分敏感水平 | 1 |
| R DS (on)(@10V)最大 | 58.0mΩ |
| R DS (on)(@4.5V)最大 | 98.0mΩ |
| P tot(@ T A=25°C)最大 | 6.4W |
IRF7389PBF-1数据手册
