名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
Q gd | 19.0 |
包装 | SO-8 |
极性 | N |
T j最大值 | 150.0°C |
V DS最大值 | 100.0V |
V GS最大值 | 20.0V |
(@25°C)最大 | 6.9A |
Q G (typ @10V) | 61.0 |
R thJA最大值 | 50.0K/W |
越来越多的 | SMD |
水分敏感水平 | 1 |
R DS (on)(@10V)最大 | 26.0mΩ |
P tot(@ T A=25°C)最大 | 2.5W |
V GS(th)最大值最小值 | 3.5V4.5 |
IRF7473PBF-1数据手册