名称 | 参数 |
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产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
Q gd | 2.9 |
包装 | SO-8 |
极性 | N |
T j最大值 | 150.0°C |
V DS最大值 | 30.0V |
V GS最大值 | 12.0V |
(@25°C)最大 | 8.3A |
Q G (typ @4.5V) | 12.0 |
R thJA最大值 | 50.0K/W |
V GS (th)分钟 | 1.0V |
越来越多的 | SMD |
水分敏感水平 | 1 |
R DS (on)(@4.5V)最大 | 25.0mΩ |
P tot(@ T A=25°C)最大 | 2.5W |
IRF7807PBF-1数据手册