| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| 包装 | SO-8 |
| 极性 | N+N |
| Q gd (typ) | 5.2 |
| T j最大值 | 150.0°C |
| V DS最大值 | 12.0V |
| V GS最大值 | 12.0V |
| (@25°C)最大 | 10.0A |
| Q G (typ @4.5V) | 17.0 |
| R thJA最大值 | 62.5K/W |
| 水分敏感水平 | 1 |
| R DS (on)(@4.5V)最大 | 15.0mΩ |
| P tot(@ T A=25°C)最大 | 2.0W |
| V GS(th)最大值最小值 | 0.6V1.3 |
IRF7910PBF-1数据手册
