名称 | 参数 |
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产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
Q gd | 8.5 |
包装 | SO-8 |
极性 | N |
T j最大值 | 150.0°C |
V DS最大值 | 30.0V |
V GS最大值 | 20.0V |
(@25°C)最大 | 17.2A |
Q G (typ @4.5V) | 24.0 |
R thJA最大值 | 50.0K/W |
越来越多的 | SMD |
水分敏感水平 | 1 |
R DS (on)(@10V)最大 | 5.6mΩ |
R DS (on)(@4.5V)最大 | 6.8mΩ |
P tot(@ T A=25°C)最大 | 2.5W |
V GS(th)最大值最小值 | 1.5V1.85 |
IRF8113PBF-1数据手册