名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
Q G | 35.0 |
Q gd | 12.0 |
包装 | SO-8 |
极性 | N |
T j最大值 | 150.0°C |
V DS最大值 | 25.0V |
V GS最大值 | 20.0V |
R thJA最大值 | 50.0K/W |
越来越多的 | SMD |
R DS(开)最大值 | 2.7mΩ |
水分敏感水平 | 1 |
R DS (on)(@10V)最大 | 2.7mΩ |
R DS (on)(@4.5V)最大 | 3.7mΩ |
I D (@ T A=25°C)最大 | 25.0A |
I D (@ T A=70°C)最大 | 20.0A |
P tot(@ T A=25°C)最大 | 2.5W |
IRF8252数据手册