首页 > 晶体管> RF5L10111K0CB4
名称 参数
产品分类 射频晶体管
封装 D4E
ECCN EU NEC
ECCN US EAR99
Frequency 1030
Efficiency 52
Power Gain 14.5
Output Power 1000
Package Name D4E
一般描述 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor
包装类型 Tray
市场状况 Active
等级规格 Industrial
R<sub>th</sub> 0.02
ROHS合规等级 N/A
Transistor Supply Voltage 50
RF5L10111K0CB4数据手册
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