IQE013N04LM6前往购买
IQE013N04LM6产品参数_产品特性_原装供应
IC先生 网络 136 2023-12-07 17:18:38
IQE013N04LM6，这款 1.35mOhm 的 40V OptiMOS™ 功率 MOSFET 扩展了英飞凌的创新型 Source-Down 产品系列，采用 3.3x3.3 PQFN 封装。该功率 MOSFET 是同类中的佼佼者，突破业界目前的功率密度和形状因数，优化了终端用户的体验。
电动工具的设计目标之一便是有效减少 PCB 区域的内部限制，从而实现人体工程学设计并优化用户体验。将逆变器从手柄移到头部，可大幅度减少 电动工具 电机外壳的体积， 同时将工具的扭矩保持在较高水平，以便快速、轻松地进行操作。
IQE013N04LM6的特性
- RDS(on) 大幅降低 25％
- 二极管的结壳热阻（RthJC）展现出色的热性能
- 可实现布局优化
- 标准和门极中置封装
IQE013N04LM6优势
- 高电流能力
- 更有效地利用 PCB 区域
- 高功率密度和高性能
- 优化了与门极中置版本并联的 MOSFET 封装
IQE013N04LM6规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.98 |
| ID(@25°C) | 205 A |
| IDpuls | 820 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| 包 | PQFN 3.3x3.3 Source-Down |
| 极性 | N |
| QG (type @4.5V) | 20 nC |
| QG(类型@10V) | 41 nC |
| RDS (on) (@4.5V) | 1.9 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 1.35 mΩ |
| VDS公司 | 40 V |
| vg (th) | 1.6 V 1.2 V 2 V |
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