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ISC010N04NM6中文参数_产品功能_原装销售
IC先生 网络 63 2023-12-07 10:18:27
凭借先进的 40V OptiMOSTM 6 正常电平功率MOSFET，英飞凌为电池供电应用、电池供电工具、电池管理和低压驱动等所需的正常电平(较高阈值电压)应用提供了标杆解决方案。正常电平的产品组合具有较高的 Vth，这意味着只有较大的栅极电压尖峰才会导致不必要的导通。
此外，较低的 QGD/QGS 比（CGD/CGS 分压比）可降低栅极电压尖峰，从而进一步增强了抗意外导通的鲁棒性。ISC010N04NM6 具有非常低的 RDS(on) ，仅为 1.0mOhm。
ISC010N04NM6的特性
- N 沟道增强型
- 正常电平的栅极阈值（典型值为 2.3 V）
- MSL1
- 峰值回流温度高达 260°C
- 175°C 的结温 (Tj)
- 电荷比优化， QGD/QGS <0.8，具有C.dv/dt 抗扰能力
- 低栅极电荷
- 100% 经过雪崩测试
- 出色的耐热性
ISC010N04NM6优势
- 正常电平栅极驱动可防止嘈杂环境中的错误导通
- 栅极电荷降低，减少了开关损耗
- 适用于 FOC (磁场定向控制)和 DTC (直接转矩控制)电机控制技术
ISC010N04NM6规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.85 |
| ID | 285 A |
| ID(@25°C) | 285 A |
| IDpuls | 1140 A |
| 越来越多的 | SMD |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 150 W |
| 包 | SuperSO8 5x6 |
| 销数 | 8 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 67 nC |
| RDS (on) (@10V) | 1 mΩ |
| VDS公司 | 40 V |
| vg (th) | 2.3 V 1.8 V 2.8 V |
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