IMT65R260M1H前往购买
IMT65R260M1H产品参数_产品特点_原厂出售
IC先生 网络 65 2023-12-07 09:34:10
人数封装中的CoolSIC™MOSFET650 V, 260Ω充分利用英飞凌SiC技术的优势,可实现更高密度的设计和更高的开关频率操作人数的小尺寸和低寄生允许高效和有效地利用电路板空间,并以更高的频率驱动MOSFET,达到更高的功率密度人数封装产品中的CoolSIC™MOSFET 650 V, 260Ω与coolmos™和coolgan™的人数可用性相补充,使其成为各种系统的有吸引力的一站式选择260Ω产品适用于低功耗系统的特定高效设计,如家用电器或低功耗工业驱动器它可以优化每美元的性能,在硬通勤半桥和全桥拓扑中,以及提高采用拓扑(如新兴的图腾柱PFC)的系统的效率。
IMT65R260M1H的特性
IMT65R260M1H优势
IMT65R260M1H规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 6 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| 极性 | N |
| 资格 | Industrial |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 260 mΩ |
| VDS公司 | 650 V |
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