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IQE065N10NM5CG产品参数_产品特征_现货出售
IC先生 网络 68 2023-12-07 11:19:49
IQE065N10NM5CG 是英飞凌对创新性 源极底置 技术的延伸。 OptiMOS™ 5 30 V PQFN 3.3x3.3 源极底置具有 30 V 和极低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源极底置技术使硅片倒置在元件内部。调整后，源极电位（而非漏极电位）即可通过导热垫连接到 PCB。这样就能提供多项优势，如增强热性能、高功率密度和改善布局。此外，更高的效率、更低的主动散热要求及有效的热管理布局有利于实现系统级优势。RDS(on) 新标杆和创新布局能力使 源极底置 概念在温度管理方面处于领先地位。源极底置产品组合解决了各种应用问题，包括 电机驱动、 电信、 SMPS 或 服务器。目前，有两种不同的产品尺寸采用了这项新技术：源极底置标准栅极和源极底置置中栅极（并行优化）。
IQE065N10NM5CG的特性
- 与现有技术相比，RDS(on) 大幅降低30%
- 采用 PQFN 封装技术后RthJC 改善
- 可获得标准栅极和置中栅极尺寸
- 优化后的新布局
IQE065N10NM5CG优势
- 实现最高的功率密度和性能
- 卓越的热性能
- 优化布局，有效利用面积
- 简化采用置中栅极尺寸的多个 MOSFET 并行配置
- 降低 PCB 损失
- 降低寄生参数
IQE065N10NM5CG规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 1.14 |
| ID(@25°C) | 85 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| 包 | PQFN 3.3x3.3 Source-Down |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 34 nC |
| RDS (on) (@10V) | 6.5 mΩ |
| VDS公司 | 100 V |
| vg (th) | 3 V 2.2 V 3.8 V |
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