BSZ520N15NS3 G前往购买
BSZ520N15NS3 G中文参数_产品特性_原厂出售
IC先生 网络 30 2023-12-07 17:30:39
与次优竞品相比，150V OptiMOS™ R DS(on) 降低 40%，品质因数 (FOM) 降低 45%。这一显著改进创造了全新的可能性，如从引脚封装转变为 SMD 封装或使用一个 OptiMOS™ 部件有效替换两个原有部件。
BSZ520N15NS3 G的特性
- 优异的开关性能
- 世界较低的 (R Ds(on))
- 极低的 Qg 和 Qgd
- 出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）
- 符合 RoHS - 无卤素
- MSL1 评级 2
BSZ520N15NS3 G优势
- 环保
- 提高效率
- 极高的功率密度
- 减少所需的并联
- 极低的板空间消耗
- 产品易于设计
BSZ520N15NS3 G规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.51 |
| 独联体 | 670 pF |
| 输出电容 | 80 pF |
| ID(@25°C) | 21 A |
| IDpuls | 84 A |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 57 W |
| 包 | PQFN 3.3 x 3.3 |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 8.7 nC |
| RDS (on) (@10V) | 52 mΩ |
| 仅仅 | 2.2 K/W |
| VDS公司 | 150 V |
| vg (th) | 3 V 2 V 4 V |
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芯片
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