IPTG111N20NM3FD产品规格_产品特性_原装现货
IC先生 网络 18 2023-12-07 15:29:19
OptiMOS™ 功率 MOSFET IPTG111N20NM3FD 采用改良的翼型引脚 TO-Leadless 封装。TOLG 封装尺寸与 TO-Leadless 封装尺寸互相兼容,与 D2PAK 7 引脚相比,TOLG 封装具有出色的电器性能,同时减少了约 60% 的电路板空间。这款 OptiMOS™ 3 - 200 V 的新型封装具有非常低的 RDS(on) ,而且经过优化,可处理大于 300 A 的高电流。
得益于翼型引脚的灵活性,采用 TOLG 封装的 OptiMOS™ 在铝基板上表现出了优异的焊点可靠性。因此,与标准要求 (IPC-9701) 相比,板上温度循环 (TCOB) 性能高出了 2 倍。
TOLG 封装的主要优势是确保了高效率、低电磁干扰以及高功率密度。
IPTG111N20NM3FD的特性
- 最佳的技术
- 高额定电流>300 A
- 低振铃和电压过冲
- 电路板占用空间比 D2PAK 7 引脚减少 60%
- 翼型引脚
IPTG111N20NM3FD优势
- 高性能能力
- 系统可靠性高
- 高效率和低电磁干扰
- 优化电路板利用率
- 板上温度循环性能高
IPTG111N20NM3FD规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
电池电压 | 96-140 V |
预算价格€/ 1000 | 3.46 |
ID(@25°C) | 108 A |
IDpuls | 432 A |
越来越多的 | SMT |
工作温度 | -55 °C 175 °C |
Ptot | 375 W |
包 | TOLG (HSOG-8) |
销数 | 8 Pins |
极性 | N |
QG(类型@10V) | 65 nC |
RDS (on) (@10V) | 11.1 mΩ |
VDS公司 | 200 V |
vg (th) | 3 V 2 V 4 V |
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