IPDQ60R022S7前往购买
IPDQ60R022S7产品参数_功能图_原厂出售
IC先生 网络 62 2023-12-07 13:31:11
在采用紧凑型 SMD 封装的高压超结 MOSFET 中，600V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET 系列针对低导通损耗作了优化，具有市场上最低的 RDS(on)。其 RDS(on) x 价格品质因数前所未有，完美契合大功率电源中的固态断路器和继电器、PLC、电池保护及有源桥式整流。顶部冷却可最大限度地降低导通损耗，同时最大限度地提高功率密度，冷却方式采用最高效的 SMD 冷却。
IPDQ60R022S7的特性
- 低 RDS(on)
- 紧凑型顶部冷却 QDPAK 封装
- 针对导通性能进行优化
- 耐热性提高
- 高脉冲电流能力
- 开尔文源极配置引脚改善了高电流下的开关性能
IPDQ60R022S7优势
- 最大限度地降低导通损耗
- 提高能效
- 更紧凑、更简单的设计
- 在固态设计中无需或减少散热器
- 较低的 TCO 成本或 BOM 成本
IPDQ60R022S7规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| IDpuls | 375 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| 包 | QDPAK TSC (HDSOP) |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 150 nC |
| 路上 | 150 nC |
| RDS (on) (@10V) | 22 mΩ |
| RDS(上) | 22 mΩ |
| VDS公司 | 600 V |
| vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
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