IPTG018N08NM5前往购买
IPTG018N08NM5产品参数_产品特征_原装供应
IC先生 网络 66 2023-12-07 08:20:45
OptiMOS™ 功率 MOSFETIPTG018N08NM5 采用改良型带翼型引线的 TO-Leaded 封装。TOLG 封装尺寸与 TO-Leadless 封装尺寸互相兼容，与 D2PAK 7-引脚相比，TOLG 封装具有出色的电器性能，同时减少了约 60% 的电路板空间。
得益于翼型引线的灵活性，采用 TOLG 封装的 OptiMOS™ 在 Al-IMS 电路板上表现出了优异的焊点可靠性。因此，与标准要求 (IPC-9701) 相比，板上温度循环 (TCOB) 性能高出了 2 倍。
TOLG 封装的主要优势是确保了高效率、低电磁干扰以及高功率密度。
IPTG018N08NM5的特性
- 最佳的技术
- 高额定电流>300 A
- 低振铃和电压过冲
- 电路板占用空间比 D2PAK 7 引脚减少 60%
- 翼型引线
IPTG018N08NM5优势
- 高性能能力
- 系统可靠性高
- 高效率和低电磁干扰
- 优化电路板利用率
- 板上温度循环性能高
IPTG018N08NM5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 2.11 |
| ID(@25°C) | 253 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| 包 | TOLG (HSOG-8) |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 101 nC |
| RDS (on) (@10V) | 1.8 mΩ |
| VDS公司 | 80 V |
| vg (th) | 3 V 2.2 V 3.8 V |
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