IRF5801前往购买
IRF5801中文参数_产品特点_原装销售
IC先生 网络 44 2023-12-07 14:51:47
红外MOSFET系列功率MOSFET采用成熟的硅工艺,为设计人员提供广泛的器件组合,以支持各种应用,如直流电机,逆变器,smp,照明,负载开关以及电池供电应用这些器件有多种表面贴装和通孔封装,采用行业标准封装,便于设计。
IRF5801的特性
IRF5801优势
IRF5801规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.14 |
| ID(@25°C) | 0.6 A |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 越来越多的 | SMD |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 2 W |
| ptt (@ TA=25°C) | 2 W |
| 包 | TSOP-6 |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 3.9 nC |
| Qgd | 2.2 nC |
| RDS (on) (@10V) | 2200 mΩ |
| RthJA | 62.5 K/W |
| 特殊功能 | Small Power |
| Tj | 150 °C |
| VDS公司 | 200 V |
| vg (th) | 4.25 V 3 V 5.5 V |
| vg | 30 V |
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芯片
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